A method for the fabrication of gaas/si and related wafer bonded virtual substrates

WO2005104192 Art A2 3. November 2005

Anmelder: The California Institute of Technology 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2005104192
Aktenzeichen: EP05757035
Anmeldetag: 21. April 2005
Veröffentlichung: 3. November 2005
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: The California Institute of Technology
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 California Institute of Technology

Private Forschungsuniversität in Pasadena, Kalifornien (USA), mit Schwerpunkt auf Naturwissenschaften und Ingenieurwesen. Sie betreibt unter anderem das Jet Propulsion Laboratory und zählt zu den weltweit führenden Technikhochschulen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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