A method of forming a tantalum-containing gate electrode structure

WO2005104197 Art A1 3. November 2005

Anmelder: Tokyo Electron Ltd., International Business Machines Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2005104197
Aktenzeichen: EP05723148
Anmeldetag: 15. Februar 2005
Veröffentlichung: 3. November 2005
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/28H01L29/49

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Tokyo Electron Ltd.
International Business Machines Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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