Methods for forming super-steep diffusion region profiles in mos devices and resulting semiconductor topographies

WO2005104209 Art A1 3. November 2005

Anmelder: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2005104209
Aktenzeichen
EP05730293
Anmeldetag
8. März 2005
Veröffentlichung
3. November 2005
Rechtsraum
WO
IPC
H01L21/336
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Cypress Semiconductor

Cypress Semiconductor war ein US-amerikanischer Halbleiterhersteller, der 2020 von Infineon Technologies übernommen wurde. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Software und Datenverarbeitung sowie Halbleiter und Nachrichtentechnik, ergänzt durch Datenspeicherung. Anmeldungen erstrecken sich von 2000 bis 2024.

561 Patente in unserer Datenbank

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen