Methods for forming super-steep diffusion region profiles in mos devices and resulting semiconductor topographies
WO2005104209
Art A1
3. November 2005
Anmelder: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2005104209
- Aktenzeichen
- EP05730293
- Anmeldetag
- 8. März 2005
- Veröffentlichung
- 3. November 2005
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/336
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Cypress Semiconductor
Cypress Semiconductor war ein US-amerikanischer Halbleiterhersteller, der 2020 von Infineon Technologies übernommen wurde. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Software und Datenverarbeitung sowie Halbleiter und Nachrichtentechnik, ergänzt durch Datenspeicherung. Anmeldungen erstrecken sich von 2000 bis 2024.
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