N-Type Group I I I Nitride Semiconductor Layered Structure

WO2005104251 Art A1 3. November 2005

Anmelder: SHOWA DENKO K.K. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2005104251
Aktenzeichen: EP05738952
Anmeldetag: 27. April 2005
Veröffentlichung: 3. November 2005
Rechtsraum: WO
IPC: H01L33/00H01L21/205

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: SHOWA DENKO K.K.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Showa Denko

Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio, seit 2023 als Resonac Holdings firmierend. Aktiv in Petrochemie, Elektronikmaterialien, Batteriematerialien sowie Halbleiterchemikalien.

3.077 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von