Element, thin film transistor and sensor using the same, and method for manufacture of element
WO2005104260
Art A1
3. November 2005
Anmelder: RIKEN, Japan Science and Technology Agency 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2005104260
- Aktenzeichen
- EP05737109
- Anmeldetag
- 20. April 2005
- Veröffentlichung
- 3. November 2005
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L51/00B82B3/00G01J1/02G01N27/00H01L21/336H01L29/786
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- RIKEN
Japan Science and Technology Agency - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
RIKEN
Japanische staatliche Forschungseinrichtung mit Sitz in Wako bei Tokio, aktiv in Physik, Chemie, Biologie und Ingenieurwissenschaften mit zahlreichen Forschungszentren.
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🇯🇵
Japan Science and Technology Agency
Japanische staatliche Förderorganisation für Wissenschaft und Technologie, die Forschungsprojekte finanziert und den Technologietransfer zwischen Universitäten und Industrie unterstützt. Die Behörde untersteht dem japanischen Bildungsministerium.
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