Mos capacitor and semiconductor device

WO2005106961 Art A1 10. November 2005

Anmelder: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2005106961
Aktenzeichen
EP05736997
Anmeldetag
21. April 2005
Veröffentlichung
10. November 2005
Rechtsraum
WO
IPC
H01L29/786G02F1/1368H01L21/336H01L21/822H01L21/8242H01L27/04H01L27/108
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

4.187 Patente in unserer Datenbank

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen