Halbleiterbauteil mit einem Umverdrahtungssubstrat und Verfahren zur Herstellung Desselben

WO2005109499 Art A2 17. November 2005

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2005109499
Aktenzeichen: EP05748573
Anmeldetag: 3. Mai 2005
Veröffentlichung: 17. November 2005
Rechtsraum: WO
IPC: H01L23/538H01L25/065

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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