Programming of flash memory cells by applying a positive voltage to the gates of the selected cells and a negative voltage to the gates of the unselected cells, and verifying the cells by applying ground to the gates of the unselected cells.

WO2005112038 Art A1 24. November 2005

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2005112038
Aktenzeichen: EP05748074
Anmeldetag: 6. Mai 2005
Veröffentlichung: 24. November 2005
Rechtsraum: WO
IPC: G11C16/10

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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