X-ray source and anode thereof

WO2005112071 Art A1 24. November 2005

Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba, Toshiba Electron Tubes & Devices Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2005112071
Aktenzeichen: EP05740978
Anmeldetag: 18. Mai 2005
Veröffentlichung: 24. November 2005
Rechtsraum: WO
IPC: H01J35/08H01J35/14H05G1/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Kabushiki Kaisha Toshiba
Toshiba Electron Tubes & Devices Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

13.647 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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