Gallium oxide single crystal composite, process for producing the same, and process for producing nitride semiconductor film utilizing gallium oxide single crystal composite

WO2005112079 Art A1 24. November 2005

Anmelder: Nippon Light Metal, Co., Ltd., The Ritsumeikan Trust 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2005112079
Aktenzeichen: EP05739091
Anmeldetag: 11. Mai 2005
Veröffentlichung: 24. November 2005
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/205C30B29/38H01L21/203

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: Nippon Light Metal, Co., Ltd.
The Ritsumeikan Trust
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Nippon Light Metal

Nippon Light Metal ist ein japanischer Hersteller von Aluminiumprodukten. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Werkzeug-, Fertigungs- und Drucktechnik sowie Metallurgie und Oberflächentechnik, ergänzt um Halbleiterbauelemente. Anmeldungen sind seit 2000 dokumentiert.

521 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von