Carbon-Doped-Si Oxide Etch Using H2 Additive in Fluorocarbon Etch Chemistry

WO2005112092 Art A2 24. November 2005

Anmelder: Applied Materials, Inc., APPLIED MATERIALS, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2005112092
Aktenzeichen: EP05747505
Anmeldetag: 9. Mai 2005
Veröffentlichung: 24. November 2005
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/302B44C1/22

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Applied Materials, Inc.
APPLIED MATERIALS, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik

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