Semiconductor device and method for fabricating the same, semiconductor substrate and method for producing the same

WO2005112097 Art A1 24. November 2005

Anmelder: Fujitsu Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2005112097
Aktenzeichen: EP05739313
Anmeldetag: 11. Mai 2005
Veröffentlichung: 24. November 2005
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L21/8238H01L27/08H01L27/092H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Fujitsu Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fujitsu

Japanisches Unternehmen für Informationstechnik, das Computer, Server, Netzwerktechnik sowie IT-Dienstleistungen und Softwarelösungen entwickelt und anbietet.

17.891 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von