Semiconductor process and integrated circuit having dual metal oxide gate dielectric with single metal gate electrode

WO2005114718 Art A1 1. Dezember 2005

Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2005114718
Aktenzeichen: EP05739786
Anmeldetag: 18. April 2005
Veröffentlichung: 1. Dezember 2005
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/44H01L21/48H01L21/50

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Freescale Semiconductor, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Freescale Semiconductor

Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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