Novel structures of silicon carbide metal semiconductor field effect transistors for high voltage and high power applications

WO2005114746 Art A1 1. Dezember 2005

Anmelder: Nanyang Technological University 🇸🇬

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2005114746
Aktenzeichen: EP05741087
Anmeldetag: 18. Mai 2005
Veröffentlichung: 1. Dezember 2005
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/812

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Nanyang Technological University
Land: 🇸🇬 Singapur

🇸🇬 Nanyang Technological University

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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