Method for fabricating semiconductor devices having a substrate which includes group iii-nitride material

WO2005117091 Art A1 8. Dezember 2005

Anmelder: RAYTHEON COMPANY 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2005117091
Aktenzeichen: EP05739884
Anmeldetag: 25. April 2005
Veröffentlichung: 8. Dezember 2005
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/335H01L21/285

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: RAYTHEON COMPANY
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Raytheon Company

US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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