Single metal gate material cmos using strained si-silicon germanium heterojunction layered substrate

WO2005119762 Art A1 15. Dezember 2005

Anmelder: Massachusetts Institute of Technology 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2005119762
Aktenzeichen: EP05754289
Anmeldetag: 26. Mai 2005
Veröffentlichung: 15. Dezember 2005
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8238

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Massachusetts Institute of Technology
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Massachusetts Institute of Technology

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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