Memory device and manufacturing method of the same

WO2005119779 Art A1 15. Dezember 2005

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2005119779
Aktenzeichen: EP05745953
Anmeldetag: 31. Mai 2005
Veröffentlichung: 15. Dezember 2005
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/10H01L21/82H01L29/786H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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