Ballistic Injection Nrom Flash Memory

WO2005119783 Art A2 15. Dezember 2005

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2005119783
Aktenzeichen: EP05804829
Anmeldetag: 18. Mai 2005
Veröffentlichung: 15. Dezember 2005
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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