Laser irradiation method and apparatus, method for annealing non-single crystal, and method for manufacturing semiconductor device

WO2005122222 Art A1 22. Dezember 2005

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2005122222
Aktenzeichen: EP05748477
Anmeldetag: 6. Juni 2005
Veröffentlichung: 22. Dezember 2005
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/268H01L21/20H01L21/336H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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