Growth of planar reduced dislocation density m-plane gallium nitride by hybride vapor phase epitaxy

WO2005122267 Art A2 22. Dezember 2005

Anmelder: The Regents of The University of California San Diego, Japan Science and Technology Agency 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2005122267
Aktenzeichen: EP05779733
Anmeldetag: 31. Mai 2005
Veröffentlichung: 22. Dezember 2005
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/15H01L31/0312

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Abstract

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Firmen: The Regents of The University of California San Diego
Japan Science and Technology Agency
Land: 🇺🇸 USA

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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