Method for manufacturing thin film integrated circuit

WO2006001287 Art A1 5. Januar 2006

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006001287
Aktenzeichen: EP05752740
Anmeldetag: 15. Juni 2005
Veröffentlichung: 5. Januar 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/12H01L21/336H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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