Integrierte Schaltungsanordnung mit Pin-Diode und Herstellungverfahren

WO2006003086 Art A1 12. Januar 2006

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006003086
Aktenzeichen: EP05752812
Anmeldetag: 17. Juni 2005
Veröffentlichung: 12. Januar 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/06H01L27/146H01L31/105

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

4.937 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von