Silicon single crystal manufacturing method and apparatus
WO2006003782
Art A1
12. Januar 2006
Anmelder: SHIN-ETSU HANDOTAI COMPANY LIMITED 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2006003782
- Aktenzeichen
- EP05748968
- Anmeldetag
- 13. Juni 2005
- Veröffentlichung
- 12. Januar 2006
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C30B29/06C30B13/12
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- SHIN-ETSU HANDOTAI COMPANY LIMITED
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Shin-Etsu Handotai
Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.
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Fachgebiete
Vertreten von
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