Method of determining the correct average bias compensation voltage during a plasma process

WO2006004744 Art A2 12. Januar 2006

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006004744
Aktenzeichen: EP05767760
Anmeldetag: 28. Juni 2005
Veröffentlichung: 12. Januar 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H02H1/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

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Fachgebiete

Elektrische Energietechnik

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