Verfahren zum Herstellen eines Integrierten Schaltkreises und Substrat mit Vergrabener Schicht

WO2006005321 Art A2 19. Januar 2006

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006005321
Aktenzeichen: EP05766879
Anmeldetag: 8. Juli 2005
Veröffentlichung: 19. Januar 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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