Magnetoresistance effect device, magnetic random access memory, magnetic head and magnetic memory unit

WO2006006420 Art A1 19. Januar 2006

Anmelder: NEC Corporation, NEC CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006006420
Aktenzeichen: EP05755768
Anmeldetag: 30. Juni 2005
Veröffentlichung: 19. Januar 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01L43/08G11B5/39H01F10/13H01F10/16H01F10/32H01F41/18H01L27/105H01L43/10

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: NEC Corporation
NEC CORPORATION
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 NEC

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Tokio, der IT- und Netzwerklösungen, Telekommunikationsausrüstung sowie Sicherheits- und Biometrietechnik anbietet.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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