Nitride semiconductor device schottky electrode and manufacturing method thereof

WO2006006529 Art A1 19. Januar 2006

Anmelder: NEC Corporation, NEC CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006006529
Aktenzeichen: EP05765598
Anmeldetag: 8. Juli 2005
Veröffentlichung: 19. Januar 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/47H01L21/338H01L29/423H01L29/812H01L29/872

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: NEC Corporation
NEC CORPORATION
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 NEC

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Tokio, der IT- und Netzwerklösungen, Telekommunikationsausrüstung sowie Sicherheits- und Biometrietechnik anbietet.

19.509 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von