Magnetron sputtering device making magnetic flux arrangement (balanced type/unbalanced type) switchable and film forming method for inorganic thin film material using this device, and dual-type magnetron sputtering device and film forming method for inorganic thin film material making possible low-t
WO2006006637
Art A1
19. Januar 2006
Anmelder: National Institute for Materials Science 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2006006637
- Aktenzeichen
- EP05760125
- Anmeldetag
- 7. Juli 2005
- Veröffentlichung
- 19. Januar 2006
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C23C14/35C23C14/08B01J37/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- National Institute for Materials Science
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
National Institute for Materials Science
Japanisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Tsukuba, das auf Materialwissenschaft und Werkstoffforschung spezialisiert ist.
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