Strained silicon-on-silicon by wafer bonding and layer transfer

WO2006007396 Art A1 19. Januar 2006

Anmelder: Massachusetts Institute of Technology 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006007396
Aktenzeichen: EP05785366
Anmeldetag: 16. Juni 2005
Veröffentlichung: 19. Januar 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/18

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Massachusetts Institute of Technology
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Massachusetts Institute of Technology

US-amerikanische Universität mit Sitz in Cambridge, Massachusetts, eine der weltweit führenden Forschungseinrichtungen. Aktiv in nahezu allen technischen und naturwissenschaftlichen Feldern, darunter Informatik, Ingenieurwesen, Materialwissenschaften und Biotechnologie.

5.635 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von