Insulated Gate Bipolar Transistor

WO2006008888 Art A1 26. Januar 2006

Anmelder: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006008888
Aktenzeichen: EP05748490
Anmeldetag: 3. Juni 2005
Veröffentlichung: 26. Januar 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/739

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Toyota Motor Corporation

Japanischer Automobilhersteller mit Sitz in Toyota City, gegründet 1937. Entwickelt und produziert Pkw, Nutzfahrzeuge, Hybrid- und Wasserstoffantriebe sowie zugehörige Fahrzeugtechnologien.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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