Drain extended mos transistors and methods for making the same

WO2006010055 Art A2 26. Januar 2006

Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006010055
Aktenzeichen: EP05770063
Anmeldetag: 8. Juli 2005
Veröffentlichung: 26. Januar 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L29/76

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Texas Instruments Incorporated
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Texas Instruments

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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