Substrate for field effect transistor, field effect transistor, and manufacturing method thereof

WO2006011369 Art A1 2. Februar 2006

Anmelder: NEC Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006011369
Aktenzeichen: EP05765755
Anmeldetag: 14. Juli 2005
Veröffentlichung: 2. Februar 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NEC Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 NEC

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Tokio, der IT- und Netzwerklösungen, Telekommunikationsausrüstung sowie Sicherheits- und Biometrietechnik anbietet.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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