Semiconductor device including a conductive layer buried in an opening and method of manufacturing the same
WO2006011632
Art A2
2. Februar 2006
Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2006011632
- Aktenzeichen
- EP05768654
- Anmeldetag
- 27. Juli 2005
- Veröffentlichung
- 2. Februar 2006
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/8242H01L21/768
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Kabushiki Kaisha Toshiba
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Toshiba
Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.
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