Methods and apparatus for the optimization of etch resistance in a plasma processing system

WO2006011996 Art A2 2. Februar 2006

Anmelder: Lam Research Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006011996
Aktenzeichen: EP05759638
Anmeldetag: 14. Juni 2005
Veröffentlichung: 2. Februar 2006
Rechtsraum: WO
IPC: B44C1/22H01L21/311

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Lam Research Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik

Vertreten von