Low-Power, P-Channel Enhancement-Type Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor (pmosfet) Sram Cells
WO2006012444
Art A2
2. Februar 2006
Anmelder: Duke University 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2006012444
- Aktenzeichen
- EP05775791
- Anmeldetag
- 21. Juli 2005
- Veröffentlichung
- 2. Februar 2006
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G11C11/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Duke University
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Duke University
Private US-amerikanische Universität in Durham, North Carolina, mit breitem Forschungsspektrum, insbesondere in Medizin, Ingenieurwissenschaften und Naturwissenschaften.
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