Halbleiterbasisbauteil mit Verdrahtungssubstrat und Zwischenverdrahtungsplatte F]r einen Halbleiterbauteilstapel sowie Verfahren zu deren Herstellung

WO2006012846 Art A1 9. Februar 2006

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006012846
Aktenzeichen: EP05770716
Anmeldetag: 21. Juli 2005
Veröffentlichung: 9. Februar 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01L25/065

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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