Growth method of nitride semiconductor layer and light emitting device using the growth method

WO2006016731 Art A1 16. Februar 2006

Anmelder: Seoul National University Industry Foundation 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006016731
Aktenzeichen: EP04793546
Anmeldetag: 20. Oktober 2004
Veröffentlichung: 16. Februar 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01L33/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Seoul National University Industry Foundation
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Seoul National University Industry Foundation

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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