Forming Dual Metal Complementary Metal Oxide Semiconductor Integrated Circuits
WO2006017190
Art A1
16. Februar 2006
Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2006017190
- Aktenzeichen
- EP05775244
- Anmeldetag
- 8. Juli 2005
- Veröffentlichung
- 16. Februar 2006
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/8238
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Intel Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Intel
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.
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