Semiconductor element and process for producing the same

WO2006019157 Art A1 23. Februar 2006

Anmelder: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006019157
Aktenzeichen: EP05780451
Anmeldetag: 19. August 2005
Veröffentlichung: 23. Februar 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L21/316H01L29/786H01L51/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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