Treatment of silicon prior to nickel silicide formation

WO2006020737 Art A1 23. Februar 2006

Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006020737
Aktenzeichen: EP05784850
Anmeldetag: 10. August 2005
Veröffentlichung: 23. Februar 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/12H01L29/76H01L21/283H01L31/062H01L23/48

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Texas Instruments Incorporated
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Texas Instruments

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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