Memory cell and magnetic random access memory

WO2006022197 Art A1 2. März 2006

Anmelder: NEC Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006022197
Aktenzeichen: EP05780438
Anmeldetag: 19. August 2005
Veröffentlichung: 2. März 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8246H01L27/105G11C11/15H01L43/08

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NEC Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 NEC

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Tokio, der IT- und Netzwerklösungen, Telekommunikationsausrüstung sowie Sicherheits- und Biometrietechnik anbietet.

19.509 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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