Method for producing compound semiconductor epitaxial substrate having pn junction
WO2006022245
Art A1
2. März 2006
Anmelder: Sumitomo Chemical Company, Limited 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2006022245
- Aktenzeichen
- EP05780881
- Anmeldetag
- 23. August 2005
- Veröffentlichung
- 2. März 2006
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/20H01L21/205H01L29/861
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Sumitomo Chemical Company, Limited
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sumitomo Chemical
Japanischer Chemiekonzern mit Sitz in Tokio, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Petrochemie, Agrochemie, Pharmazeutika, Elektronikmaterialien, Energiematerialien und Kunststoffen.
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