Process for producing aluminum nitride crystal and aluminum nitride crystal obtained thereby

WO2006022302 Art A2 2. März 2006

Anmelder: OSAKA UNIVERSITY, Kansai Technology Licensing Organization Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006022302
Aktenzeichen: EP05775202
Anmeldetag: 24. August 2005
Veröffentlichung: 2. März 2006
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/38

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: OSAKA UNIVERSITY
Kansai Technology Licensing Organization Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Osaka University

Staatliche Universität in Osaka, Japan, eine der führenden Forschungsuniversitäten des Landes mit Schwerpunkten in Naturwissenschaften, Medizin und Ingenieurwesen.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

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