A method and system for modifying a gate dielectric stack containing a high-k layer using plasma processing

WO2006023373 Art A1 2. März 2006

Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006023373
Aktenzeichen: EP05785231
Anmeldetag: 11. August 2005
Veröffentlichung: 2. März 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/314H01L21/316H01L21/28

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Texas Instruments Incorporated
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Texas Instruments

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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