Atomic layer deposition of high quality high-k transition metal and rare earth oxides

WO2006026018 Art A2 9. März 2006

Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006026018
Aktenzeichen: EP05782982
Anmeldetag: 29. Juli 2005
Veröffentlichung: 9. März 2006
Rechtsraum: WO
IPC: C23C16/455

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Intel Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

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