Low temperature grown layers with migration enhanced epitaxy adjacent to an ingaasn(sb) based active region

WO2006026610 Art A2 9. März 2006

Anmelder: Finisar Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006026610
Aktenzeichen: EP05792785
Anmeldetag: 31. August 2005
Veröffentlichung: 9. März 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01S5/00

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Finisar Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Finisar

Der Anmelder war ein US-amerikanischer Hersteller optischer Kommunikationskomponenten, der 2019 von II-VI, dem heutigen Coherent-Konzern, übernommen wurde. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Optik und Fototechnik sowie auf Halbleiterbauelemente und Nachrichtentechnik. Anmeldungen stammen aus dem Zeitraum 2000 bis 2019.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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