Atomic Layer Deposited Titanium Aluminum Oxide Films

WO2006026716 Art A1 9. März 2006

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006026716
Aktenzeichen: EP05793188
Anmeldetag: 30. August 2005
Veröffentlichung: 9. März 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/314H01L21/28C23C16/40

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von