A method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric layer and a metal gate electrode

WO2006028690 Art A1 16. März 2006

Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006028690
Aktenzeichen: EP05787625
Anmeldetag: 22. August 2005
Veröffentlichung: 16. März 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8238

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Intel Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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