Metal oxide semiconductor device including a shielding structure for low gate-drain capacitance

WO2006028793 Art A1 16. März 2006

Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006028793
Aktenzeichen: EP05794353
Anmeldetag: 30. August 2005
Veröffentlichung: 16. März 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/00H01L21/30H01L21/822H01L29/76H01L29/94

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Freescale Semiconductor, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Freescale Semiconductor

Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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