Amorphous silicon thin-film transistors and methods of making the same

WO2006028811 Art A2 16. März 2006

Anmelder: Honeywell International Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006028811
Aktenzeichen: EP05792499
Anmeldetag: 31. August 2005
Veröffentlichung: 16. März 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/45H01L21/336H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Honeywell International Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Honeywell

US-amerikanischer Mischkonzern mit Schwerpunkten in Luft- und Raumfahrttechnik, Automatisierungslösungen, Gebäudetechnik sowie Spezialchemikalien und -materialien für Industrie- und Verteidigungskunden.

13.051 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von